GaN 에피웨이퍼 성장의 핵심 기술은 기판과 GaN의 격자구조 및 격자상수 차이에 의해 발생되는 결함밀도를 낮추는 것입니다. 얇은 박막 두께에서도 고품질의 GaN 에피웨이퍼를
성장할 수 있게 하는 핵심 특허기술 ‘SADA(self-aligned defectd annihilation)’와 ‘Multi-SADA’는 자가 배열되는 나노 양자점을 이용해 결함 전파를 억제하는 기술로서,
GaN 박막의 두께를 얇게 유지하면서도 결함을 줄여 고품질 GaN을 성장시키는 방법입니다. 외부 공정 없이 성장 중에 적용하는 효과적이고 강력한 결함 감소 기술로,
한국, 미국, 대만 내 등록 특허를 다수 보유하고 있습니다.