Crack이 발생한 웨이퍼 분석 이미지

Particle이 발생한 웨이퍼 분석 이미지

결함이 없는 웨이퍼 분석 이미지

GaN on Si 또는 GaN on SiC는 결정구조가 다른 기판 위에 GaN을 성장하는 기술입니다. 그렇기 때문에 성장과정에서 결함(Defect), 크랙(Crack) 등 다양한 문제가 발생하여
다음 생산 공정을 진행하기 어렵거나 생산성에 직접적인 영향을 주기도 합니다. 또한, 인공지능을 이용해 결정성장을 실시간 모니터링하는 기술로 웨이퍼에 인가되는
스트레스 및 휘어짐 정도를 모니터링하고 제어하여 고품질 GaN 결정성장을 가능하게 합니다.