Company HISTORY 아이브이웍스는 2011년 설립 이후 세계 최고의 차세대 소재 기술 혁신을 이끌어가고 있습니다 전체이력 제품이력 투자이력 아이브이웍스의 전체 이력 202601GaN 에피웨이퍼 출하량 1K 달성02중소벤처기업부 녹색기술 인증 획득 202505과학기술정보통신부 글로벌 ICT 미래 유니콘 선정05K-water 협력 스타트업 선정09레이더 증폭기용 8 inch GaN on SiC 에피웨이퍼 개발11인공 광합성 패널용 8 인치 질화갈륨 나노와이어 에피웨이퍼 개발 202404GaN 에피웨이퍼 고객사 제품 검증(Qual) 통과06글로벌 파운드리 고객사 GaN 에피웨이퍼 공급 밴더 등록 202306Series D 투자유치09AlN Buffer 구조 GaN on SiC 개발11p-GaN Selective Regrowth 개발11GaN 에피웨이퍼 공급을 위한 글로벌 고객사 Audit 통과 202201프랑스 Saint-Gobain GaN 웨이퍼 사업부 인수03GaN 기판 제조기술 등 국내 외 IP 57건 확보03신규 양산 FAB 구축 및 4세대 Hybrid-MBE 개발10n+GaN Selective Regrowth 개발 202101소재부품 전문기업 인증07DOMM AI 상표 등록 (국내외 10건)08Series C 투자유치 202011산업통상자원부 국제공동기술개발사업 선정10산업통상자원부 100대 핵심전략기술 인증08미국 IET와 GaN 에피웨이퍼 비즈니스 파트너쉽 공표06SK실트론 업무협약 체결05통신소자용 6인치 GaN on SiC 에피웨이퍼 개발 201912Series B 투자유치 - 2차09미국 IET와 ODM 및 Collaboration 계약 체결06QC 및 출하용 Clean-room 및 설비 구축04AI Epitaxy Platform 설비 구축 및 양산장비 자동화03Series B 투자유치 - 1차 201811 AI Epitaxy Platform 특허 출원(한국, 미국, 일본, 대만, 유럽)07이스라엘 방산업체 업무협약 체결07삼성전자 업무협약 체결07산업통상자원부 사업화연계기술개발사업 선정06중소벤처기업부 글로벌스타벤처R&D과제 선정04RFHIC와 전략적 파트너쉽 체결(GaN 에피웨이퍼 공급 및 신제품 공동개발)02통신소자용 4 inch GaN on SiC 에피웨이퍼 개발 201707Series A plus 투자유치02전력소자용 8 inch GaN on Si 에피웨이퍼 개발 201609150평 Clean-room Pilot line 구축06대덕연구소 입주(대전 대덕특구내)06600V급 Normally-off GaN 전력소자용 4 inch GaN on Si 에피웨이퍼 개발06Series A 투자유치05벤처기업 인증03 전력소자용 4 inch GaN on Si 에피웨이퍼 개발 201511기업부설연구소 설립10Seed round 투자유치 201107 (주)아이브이웍스 설립 아이브이웍스의 제품 이력 202509레이더 증폭기용 8 inch GaN on SiC 에피웨이퍼 개발11인공 광합성 패널용 8 인치 질화갈륨 나노와이어 에피웨이퍼 개발 202309AlN Buffer 구조 GaN on SiC 에피웨이퍼 개발11p-GaN Selective Regrowth 개발 202210n+GaN Selective Regrowth 개발 및 공급 202005통신소자용 6인치 GaN on SiC 에피웨이퍼 개발 201802통신소자용 4 inch GaN on SiC 에피웨이퍼 개발 201702 전력소자용 8 inch GaN on Si 에피웨이퍼 개발 201606600V급 Normally-off GaN 전력소자용 4 inch GaN on Si 에피웨이퍼 개발03전력소자용 4 inch GaN on Si 에피웨이퍼 개발 아이브이웍스의 투자 이력 202306Series D 투자유치 202108Series C 투자유치 201912Series B 투자유치 - 2차03 Series B 투자유치 - 1차 201707Series A plus 투자유치 201606Series A 투자유치 201510Seed round 투자유치
