LTE보다 20배 빠른 28GHz 5G 통신장비에 필수로 적용되는 소재

인공지능 독자기술로 대구경 제품서도 품질 및 수율 확보 성공

시스템 반도체 소재 전문 기업 아이브이웍스(대표 노영균)가 국내 최초로「6인치 GaN(질화갈륨) on SiC(실리콘 카바이드) 에피웨이퍼」 국산화에성공했다고 3일 밝혔다.

GaN on SiC 에피웨이퍼는 5G 통신장비의 신호증폭기로 사용되는 ‘GaN 트랜지스터’의 핵심 원재료다. 아이브이웍스는 2년 전 국내 최초로 4인치 GaN on SiC 생산을 시작하고 이번에 6인치 GaN on SiC 국산화에 연달아 성공했다.

GaN 트랜지스터는 고효율, 고출력, 고주파 특성으로 28GHz 5G 통신장비에 필수로 적용된다. 현재, 미국과 일본에서는 28GHz 5G가 상용화되고 있으며, 우리나라를 포함한 세계 각국에서도 상용화가 진행 중이라 GaN 트랜지스터 수요가 급증하고 있다.

그러나, 기존 4인치 GaN on SiC는 좁은 면적 때문에 한 공정에서 생산 가능한 칩 개수가 적다. 이는 제품 원가 상승의 원인이 된다. 이번 6인치 GaN on SiC는 기존 대비 2배 이상의 칩 생산이 가능해 원가경쟁력을 확보할 수 있다. 대구경화와 동시에 품질, 수율을 모두 확보하는 것은 고도의 기술력을 요구하기 때문에 전 세계적으로 소수의 기업만 6인치 기술 개발에 성공했다. 아이브이웍스는 인공지능 시스템이 원자 층 단위로 소재 합성을 제어하는 기술을 세계 최초로 개발하고 생산에 도입함으로써 대구경 제품에서도 품질과 수율을 모두 확보했다.

아이브이웍스 노영균 대표는 “GaN on SiC 에피웨이퍼는 LTE보다 20배 빠르다고 알려진 28GHz 5G 통신장비에 필수로 사용되는 핵심소재”며 “5G 통신 기술 관련 반도체 소재를 수출규제로 전략화하고 있는 소재 강국들 사이에서 자체 기술로 소재 독립을 이뤄낸 성과”라 평가했다.

아이브이웍스는 GaN 에피웨이퍼 전문 기업이다. 국내 최초로 전력반도체 및 통신 반도체용 GaN 에피웨이퍼 국산화에 성공했다. 자체 개발한 GaN 에피웨이퍼 제조기술로 유관기업, 연구기관 등과 활발한 협업을 진행하고 있다. 자세한 내용은 아이브이웍스 홈페이지(www.ivwkr.com) 참조.