“접촉 저항 낮추고 전기적 특성을 개선하여 디바이스 성능 극대화”

작년 9월, 아이브이웍스(IVWorks)는 업계 최초로 MBE 장비를 활용한 n⁺-GaN Selective Regrowth 서비스를 선보였다. 해당 서비스는 GaN 에피웨이퍼의 Source 및 Drain 영역을 선택적으로 etching한 후 n⁺-GaN을 정밀하게 재성장시키는 공정으로, 접촉 저항을 효과적으로 낮추고 전기적 특성을 개선하여 반도체 디바이스 성능을 대폭 향상시킬 수 있다.

Regrowth 공정에서 높은 온도는 에피 계면의 품질을 저하시켜 디바이스 성능을 떨어뜨릴 수 있다. 그러나 IVWorks의 Hybrid-MBE 공정은 이 문제를 효과적으로 해결한다.

불순물이 거의 없는 고진공 환경에서 이루어지며 700℃ 이하의 저온 공정이 가능하다. 특히, In-situ surface cleaning 기술로 웨이퍼 표면의 불순물을 제거함으로써 Regrowth 과정에서 발생할 수 있는 HEMT 소자의 성능 저하를 방지한다.

이러한 기술적 우수성 덕분에 IVWorks의 Regrowth 서비스는 반도체 소자 제조에서 뛰어난 정밀도와 높은 재현성을 제공한다.

n⁺-GaN Selective Regrowth 기술은 반도체 소자의 Ohmic Contact 저항을 기존 대비 최대 1/10 수준으로 감소시킨다. 접촉 저항이 낮아지면 전류 흐름 시 발생하는 저항이 줄어들어, 파워 손실을 최소화하고 디바이스의 효율을 극대화할 수 있다. 이러한 성능 향상은 고사양 디바이스 설계와 소형화에 크게 기여한다. 특히 고주파 환경에서 안정적 신호 처리가 요구되는 RF 디바이스에 적용하면 전력 효율과 전력 밀도를 개선할 수 있다.

IVWorks의 Regrowth 서비스는 다양한 기판에 적용할 수 있다. 4인치, 6인치, 8인치 실리콘(Si) 기판 과 4인치, 6인치 실리콘 카바이드(SiC) 기판에서 적용 가능하다.

이 기술은 고객 사례를 통해 우수한 성능이 지속적으로 입증되고 있으며 글로벌 반도체 기업과 연구 기관으로부터 높은 신뢰를 받고 있다.

또한, 지난 2월에는 p-GaN gate Selective Regrowth 기술을 새롭게 출시하여 고객에게 폭 넓은 선택지를 제공하며 IVWorks의 기술력을 다시 한번 입증했다.

IVWorks의 Selective Regrowth 서비스는 WIZDOMM 플랫폼(▶https://www.domm.ai/epidesign)을 통해 쉽고 빠르게 맞춤형 견적을 확인할 수 있다.

Etch Depth와 Mask를 간단히 조정할 수 있다. 이를 통해 최적의 공정을 설계하고 견적을 즉시 확인할 수 있어 시간과 비용을 절감할 수 있다. 지금 바로 IVWorks의 Regrowth 기술을 경험해보자.

Soo-Jeong Choe l Marketing Assistant Manager at IVWorks

※ 본 칼럼은 기고자의 주관적인 견해로, 아이브이웍스 공식 입장과 다를 수 있습니다.