Epitaxial Growth
Hybrid-MBE는 아이브이웍스가 확보한 특허기술에 최적화되어있는 단결정 성장 장비로, 기존 MBE의 최대 단점인 느린 박막 속도 문제를 개선(2㎛/h 이상) 하고 고 진공 챔버 내에서 낮은 성장 온도(약 800도)로 공정을 진행하여 크랙 발생률과 불순물 함량이 낮은 고품질 박막 성장이 가능합니다.
Hybrid-MBE?
Hybrid-MBE는 에피웨이퍼 성장분야에서 다년간 연구개발을 이어온 국내 전문가들의 손에서 탄생했습니다.
고진공 상태에서 고순도 AI metal 소스를 분자빔 형태로 공급하므로 불순물 함유가 극도로 제한되고 Gas phase reaction 현상이 발생하지 않습니다. 고품질 AIGaN 또는 AIN 박막성장이 가능하며 particle 문제 및 챔버의 유지보수 측면에서 우수성을 자랑합니다.
Hybrid-MBE 단결정 성장 기술은 AI, In 등의 사용에 자유롭고 Doping 조절이 간편해 GaN, AIGaN, InGaN, AIN 층 및 pdoing, n-doping 층 등 에피웨이퍼 구조를 다양하게 성장할 수 있어 고객이 요구하는 박막 특성에 최적화된 기술입니다.
성장 공정의 실시간 모니터링을 가능하게 함으로서, 에피웨이퍼의 전체 결정구조 정보를 체계적으로 관리할 수 있습니다
고진공 상태에서 AI metal 소스를 분자빔 형태로 공급하여 분순물 함유가 극도로 제한되고 Gas phasereaction 현상이 발생하지 않습니다.
기존방식 대비 동일한 박막합성속도에서 합성원료의 소모가 1/1,000,000에 불과합니다.
Characterization Tools
| Field emission scanning electron microscope | Cross-sectional structure, surface morphology |
| Atomic force microscope | Surface morphology |
| Contactless resistivity measurement | Sheet resistivity mapping |
| Mercury probe CV | Carrier depth profile |
| Hall measurement | 2DEG density, 2DEG mobility |
| Reflectometer | Thickness mapping |
| Laser profiler | Wafer bow |
| Probe station, Parameter analyzer | I-V, C-V |
| Microscope | Surface particle scan |
| X-ray diffraction | Structural properties |
Hybrid-MBE 모식도
