화합물 반도체가 시작되는 곳

Products

DC Power GaN Epiwafer

DC-DC 컨버터, AC/DC 컨버터 및 인버터, Switch, Field Effect Transistor 등

Up to 200mm

GaN on Si

Up to 200mm

GaN on Si

GaN on Si 적용 사례

EV/HEV

데이터 서버

무선 전력 전송

무선 충전

LiDAR

RF Power GaN Epiwafer

RF 증폭기, Transistor, 고주파 파워 모듈 등

Up to 150mm

GaN on SiC

Up to 150mm

GaN on SiC

GaN on SiC 적용 사례

5G 네트워크

위성 커뮤니케이션

차세대 레이더

Product information?

> Standard Structure

⦁ Cap : GaN 2nm or in-situ SiN 3nm
⦁ AlGaN Barrier : 18nm ~ 23nm / AI comp. 25% ~ 35%
⦁ GaN Channel : 350nm 250nm 150nm 50nm
⦁ Undoped AlN Buffer : 700nm
⦁ Semi-Insulating SiC : 4 inch or 6 inch / US or Non-US
> Wafer Specification

⦁ Wafer Bow : < 30um
⦁ Total Thickness Uniformity : < 2%
⦁ Edge Exclusion : 3mm
⦁ RMS Roughness : < 1nm
⦁ 2DEG Rsh - GaN ch. 50nm, 150nm : < 470 Ω/sq. < Std. 3%
⦁ 2DEG Rsh - GaN ch. 250nm, 350nm : < 400 Ω/sq. < Std. 3%
⦁ Breakdown Voltage : > 150V (1E-06 A/mm)
> 2DEG & Surface
> Mercury Probe Characteristics

Epi Design

GaN 소자의 Ohmic Contact 저항을 낮추는 고품질 에피택시 서비스

Regrowth? - Ohmic Contact저항 개선 (최대 1/10)
- 칩 사이즈 소형화를 통한 소자 스위칭 특성 개선 가능
- 전력 효율 및 전력 밀도 개선 가능

Up to 200mm

n⁺GaN Selective Regrowth

Up to 200mm

n⁺GaN Selective Regrowth

Product information?

> Product Feature

⦁ S/D Selective Area Regrowth by using MBE
⦁ In-Situ Surface Cleaning
⦁ Low Temp. Regrowth (~700℃)
⦁ High Doping Concentration (n=5.0e19~1.0e20/cm3)
⦁ 2DEG Side-Wall Contact with Regrowth n+-GaN Epitaxially
⦁ 100mm - 150mm - 200mm Si and SiC Available
> Regrowth Service

⦁ S/D Selective Area Regrowth @ Low Temperature
⦁ n+-type 1.0E20 Cm-3 Doping Concentration
⦁ low Rc ~ 0.1 Ωmm secured for various customers requirements
⦁ Stable production based on large production system
> Service Flow

⦁ Step 1. IVWorks / Commercial : IVWorks AlN HEMT Epiwafer or Commercial Epiwafer
⦁ Step 2. Customer : Drain, Source region Etching
⦁ Step 3. IVWorks : Drain, Source selctive n+-GaN growth
⦁ Step 4. Customer : Drain, Source Metal process on n+-GaN

Epi Design

상시 off 소자를 위한
p-GaN Gate Selective Regrowth

- DC Power GaN Epiwafer & E-mode
- 100mm - 150mm - 200mm Si and SiC Available
- p-GaN for Normally-off GaN HEMT / Vertical GaN

Up to 200mm

p-GaN Selective Regrowth

Up to 200mm

p-GaN Selective Regrowth

Product information?

> Product Feature

⦁ p-GaN Gate Selective Area Regrowth by using MBE
⦁ In-Situ Surface Cleaning
⦁ Low Temp. Regrowth (~700℃)
⦁ Mg Doping Concentration (n=1.0e18~1.0e20/cm3)
⦁ 100mm - 150mm - 200mm Si and SiC Available
⦁ Stable production based on large production system
> Service Flow

⦁ Step 1. Customer : Commercial Epiwafer – Mask deposition
⦁ Step 2. Customer : p-GaN regrowth region etching
⦁ Step 3. IVWorks : Selective area p-GaN regrowth
⦁ Step 4. Customer : Metal process on p-GaN

Epi Design

제품설계

Step.1

Pre-treatment process

기판 표면에 형성된 자연 산화막 제거

Step.2

Stress relaxation layer

에피층에 발생하는 Crack을 방지하기 위한 Stress relaxation 층 성장

Step.3

Semi-insulating layer

전자 소자가 동작할 때 기판 쪽으로 흐르는 누설 전류를 줄여주는 층 성장

Step.4

High quality GaN

전자 소자가 동작할 때 전류가 흐르는 통로가 되는 층 성장

Step.5

Heterojunction layer

전자 소자의 구조가 만들어 지는 층 성장

제품 스펙

Parameter	Typical Date	Measurement
Barrier Thickness	26nm±1nm	Mecury probe or TEM
Barrier Composition	23%±1%	X-ray diffractometer
Total Thickness Uniformity	<±2%	Reflectometer
Wafer Bow	<±20㎛	Stress gauge
2DEG Mobility	1,700~2,000㎠/Vs	Hall
2DEG Density	<0.6~1.2 x. 1013/㎠	Hall
Sheet Resistivity	<<450 Ohm / sq.	Eddy current

Layer	Typical Date		Measurement
Cap	GaN	2nm	Thickness can be customized
Barrier	AlGaN(23%) AlN	25nm, 1nm	Thickness and composition can be customized
GaN Channel	High quality GaN	190nm	Thickness can be customized
Buffer	uid-AlGaN Al(Ga)N multi-layer	1.00㎛ ,0.5㎛ ~ 1.5㎛	Thickness and composition can be customized
Substrate	Silicon	500㎛ ~ 1,000㎛	4inch~8inch (110),(111) High resistivity or Low resistivity
Substrate	SiC	500㎛	4inch, 6inch 4H or 6H Semi-insulating

제품 특징

아이브이웍스는 인공지능을 이용한 친환경·저탄소·자동화 기술로 소재 개발에 대한 디지털 전환 흐름에서 우위를 차지하며 제품의 완성도와 생산성을 높여갑니다.

01

생산성 향상

02

품질 일관성 증가

03

친환경 소재 기술 적용

04

단일 제조공정

05

글로벌 화합물 반도체 리딩 컴퍼니

자주 묻는 질문

에피성장 기간은 얼마나 되나요?

아이브이웍스의 모든 제품은 고객이 원하는 박막 소자 특성에 따라 충분한 사전 협의를 거쳐 공정을 시작합니다.
모든 제품이 고객 특성에 맞추어 커스터마이징 되는 ‘주문형‘ 생산 방식이므로, 고객 요구 사항에 따라 공정 기간이 상이할 수 있습니다.

제품 구매는 어떻게 하나요?

아이브이웍스는 고객 맞춤형 에피웨이퍼 파운드리 서비스를 제공합니다. 아이브이웍스가 보유한 Hybrid-MBE 단결정 성장 기술은 AI, In 등의 사용에 자유롭고 Doping 조절이 간편해 GaN, AIGaN, InGaN, AIN 층 및 p-doping, n-doping 층 등 에피웨이퍼 구조를 다양하게 성장할 수 있습니다.

Step 1. 양식 전달 – Step 2. 담당 엔지니어 배정 – Step3. 제품 미팅 (일정 및 스펙 협의) – Step 4. 공정 착수 – Step 5. 품질검사 – Step6. 품질 데이터 및 제품 수령

제품 구매 혹은 견적을 원하시는 분은 홈페이지 내 QNA 양식을 기입해 주시면 내부 확인 후 1~3일 내에 담당 엔지니어가 연락드립니다.

제품 가격은 어디서 확인할 수 있나요?

전 제품은 고객 특성에 맞추어 커스터마이징 되는 ‘주문형‘ 생산 방식이므로 제품별 가격이 상이합니다. 최종 가격은 내부 Price 가이드라인과 담당 엔지니어의 검토를 거쳐 책정됩니다.

도착한 웨이퍼가 내가 요구한 사항에 적합한지 어떻게 확인할 수 있나요?

성장이 끝난 GaN 에피웨이퍼는 고객에게 최종 전달되기 전, 자사 측정/분석팀에서 OM, SEM, AFM 등의 장비를 이용해 웨이퍼의 결정성, 면 저항, 전기적 특성 등을 꼼꼼하게 체크합니다. 본 과정에서 수집된 데이터는 모두 고객에게 제공됩니다.

기술 협업 제안을 하고 싶어요.

기술 협업 및 비즈니스 문의는 아래로 연락주시면 검토하여 연락드리겠습니다.
아이브이웍스 기술 협업 문의 ivw@ivwkr.com

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> 2DEG & Surface

> Mercury Probe Characteristics

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> Regrowth Service

> Service Flow

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제품설계

Step.1

Pre-treatment process

Step.2

Stress relaxation layer

Step.3

Semi-insulating layer

Step.4

High quality GaN

Step.5

Heterojunction layer

제품 스펙

제품 특징

01

생산성 향상

02

품질 일관성 증가

03

친환경 소재 기술 적용

04

단일 제조공정

05

글로벌 화합물 반도체 리딩 컴퍼니

자주 묻는 질문

에피성장 기간은 얼마나 되나요?

제품 구매는 어떻게 하나요?

제품 가격은 어디서 확인할 수 있나요?

도착한 웨이퍼가 내가 요구한 사항에 적합한지 어떻게 확인할 수 있나요?

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